Substrat de SiC
Descripció
El carbur de silici (SiC) és un compost binari del grup IV-IV, és l'únic compost sòlid estable del grup IV de la taula periòdica, és un semiconductor important.El SiC té excel·lents propietats tèrmiques, mecàniques, químiques i elèctriques, que el converteixen en un dels millors materials per fabricar dispositius electrònics d'alta temperatura, alta freqüència i alta potència, el SiC també es pot utilitzar com a material de substrat. per a díodes emissors de llum blava basats en GaN.Actualment, el 4H-SiC és el principal producte del mercat, i el tipus de conductivitat es divideix en tipus semi-aïllant i tipus N.
Propietats
| Article | 2 polzades 4H tipus N | ||
| Diàmetre | 2 polzades (50,8 mm) | ||
| Gruix | 350 +/-25um | ||
| Orientació | fora de l'eix 4,0˚ cap a <1120> ± 0,5˚ | ||
| Orientació Pis Primària | <1-100> ± 5° | ||
| Pis Secundari Orientació | 90,0˚ CW des de la plana primària ± 5,0˚, Si cara amunt | ||
| Longitud plana primària | 16 ± 2,0 | ||
| Longitud plana secundària | 8 ± 2,0 | ||
| Grau | Grau de producció (P) | Grau d'investigació (R) | Grau simulat (D) |
| Resistivitat | 0,015~0,028 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm |
| Densitat de microtubes | ≤ 1 microtubes/cm² | ≤ 1 0 micropipes/ cm² | ≤ 30 microtubes/cm² |
| Rugositat superficial | Si cara CMP Ra <0,5 nm, C cara Ra <1 nm | N/A, àrea útil > 75% | |
| TTV | < 8 um | < 10um | < 15 um |
| Arc | < ± 8 um | < ± 10um | < ± 15um |
| Deformació | < 15 um | < 20 um | < 25 um |
| Esquerdes | Cap | Longitud acumulada ≤ 3 mm | Longitud acumulada ≤10 mm, |
| Esgarrapades | ≤ 3 rascades, acumulades | ≤ 5 rascades, acumulades | ≤ 10 rascades, acumulades |
| Plaques hexagonals | màxim 6 plaques, | màxim 12 plaques, | N/A, àrea útil > 75% |
| Àrees politípiques | Cap | Àrea acumulada ≤ 5% | Àrea acumulada ≤ 10% |
| Contaminació | Cap | ||
