-
Ge substrat
1.Sb/N dopat
2. Sense dopatge
3.Semiconductor
-
Substrat YAP
1. Excel·lent propietat òptica i física
-
Substrat CdTe
1. Alta resolució energètica
2. Aplicació d'imatge i detecció
-
Substrat LiNbO3
1.Característiques piezoelèctriques, fotoelèctriques i acústo-òptiques
2.Baixa pèrdua de transmissió d'ones acústiques
3.Baixa velocitat de propagació de les ones acústiques superficials
-
Substrat MgAl2O4
Dispositius de microones
-
Substrat LiTaO3
1. Bones propietats electroòptiques, piezoelèctriques i piroelèctriques
-
Substrat LSAT
Superconductors d'alta temperatura
-
Substrat de TeO2
1. Bon rendiment de birrefringència i rotació òptica
-
Substrat LiAlO2
1. Baixa constant dielèctrica
2. Baixa pèrdua de microones
3. Pel·lícula fina superconductora d'alta temperatura
-
Substrat BaF2
1.Rendiment IR, bona transmitància òptica
-
Substrat YVO4
1. Bona estabilitat a la temperatura i propietats físiques i mecàniques
-
Substrat LaAlO3
1. Baixa constant dielèctrica
2. Baixa pèrdua de microones
3. Pel·lícula fina superconductora d'alta temperatura
